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netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 1 /11 s eite /page key parameters v drm / v rrm 1 8 00 C 22 00 v i tavm 215 a (t c =85 c) 3570a (t c =55c) i tsm 70 00 a v t0 0, 9 5 v r t 0, 92 m? r thjc 0, 124 k/w base plate 5 0 mm weight 800 g for type designation please refer to actual short form catalog http://www.ifbip.com/catalog merkmale features ? druckkontakt - technologie fr hohe zuverl?ssigkeit ? pressure contact technology for high reliability ? advanced medium power technology (ampt) ? advanced medium power technology (ampt) ? industri e - standard - geh?use ? industrial standard package ? elektrisch isolierte bodenplatte ? electrically insulated base plate typische anwendungen typical applications ? sanftanlasser ? soft starter ? gleichrichter fr antriebsapplikationen ? rectifier for drives appl ications ? kurzschlie?er - applikationen ? crowbar applications ? leistungssteller ? power controllers ? gleichrichter fr ups ? rectifiers for ubs ? batterieladegleichrichter ? battery chargers ? statische umschalter ? static switches content of customer dmx cod e dmx code dmx code digit digit quantity serial number 1.. 5 5 s a p material number 6..12 7 internal production order number 1 3..20 8 datecode (production year) 21..22 2 datecode (production week ) 2 3 ..2 4 2 www.if bip.com support@infineon - bip.com td tt
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 2 /11 s eite /page elektrische eigenschaften / electrical properties h?chst zul?ssige werte / maximum rated values TT215N td 215n periodische vorw?rts - und rckw?rts - spitzensperrspannung repetitive peak forward off - state and reverse voltages t vj = - 40c... t vj max v drm ,v rrm 1800 2000 2200 v v v vorw?rts - sto?spitzensperrspannun g non - repetitive peak forward off - state voltage t vj = - 40c... t vj max v dsm 1800 2000 2200 v v v rckw?rts - sto?spitzensperrspannung non - repetitive peak reverse voltage t vj = +25c... t vj max v rsm 1900 2100 2300 v v v durchla?strom - grenzeffektivwert max imum rms on - state current i trmsm 410 a dauergrenzstrom average on - state current t c = 85c i tavm 215 a sto?strom - grenzwert surge current t vj = 25c, t p = 10ms t vj = t vj max , t p = 10ms i tsm 7000 6300 a a grenzlastintegral i2t - value t vj = 25c, t p = 1 0ms t vj = t vj max , t p = 10ms i2t 245000 198000 a2s a2s kritische stromsteilheit critical rate of rise of on - state current din iec 747 - 6 f = 50hz, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s (di t /dt) cr 100 a/s kritische spannungssteilheit critical rate of rise of off - state voltage t vj = t vj max , v d = 0,67 v drm 6.kennbuchstabe / 6 th letter f (dv d /dt) cr 1000 v/s charakteristische werte / characteristic values durchla?spannung on - state voltage t vj = t vj max , i t = 800 a v t max. 1,8 v schleusenspannung threshold volta ge t vj = t vj max v (to) max. 0,95 v ersatzwiderstand slope resistance t vj = t vj max r t max. 0,9 2 m vj = 25c, v d = 12 v i gt max. 200 ma zndspannung gate trigger voltage t vj = 25c, v d = 12v v gt max. 2 ,0 v nicht zndender steuerstrom gate non - trigger current t vj = t vj max , v d = 12 v t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm i gd max. max. 10 5 ma ma nicht zndende steuerspannung gate non - trigger voltage t vj = t vj max , v d = 0,5 v drm v gd max. 0,25 v haltestrom holding current t vj = 25c, v d = 12v, r a = 1 h max. 300 ma einraststrom latching current t vj = 25c, v d = 12v, r gk 1 gm = 1a, di g /dt = 1a/s, t g = 20s i l max. 1200 ma vorw?rts - und rckw?rts - sperrstrom forward off - state and reverse current t vj = t vj max v d = v drm , v r = v rrm i d , i r max. 50 ma zndverzug gate controlled delay time din iec 747 - 6 t vj = 25c, i gm = 1a, di g /dt = 1a/s t gd max. 4 s prepared by: hr date of publication: 2014 - 01 - 22 approved by: ml revision: 3.0
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 3 /11 s eite /page thermische eigenschaften mechanische eigenschaften elektrische eigenschaften / electrical properties charakteristische werte / characteristic values freiwerdezeit circuit commutated turn - of f time t vj = t vj max , i tm = i tavm v rm = 100 v, v dm = 0,67 v drm dv d /dt = 20 v/s, - di t /dt = 10 a/s 5.kennbuchstabe / 5 th letter o t q typ. 300 s isolations - prfspannung insulation test voltage rms, f = 50 hz, t = 1 min rms, f = 50 hz, t = 1sec v isol 3 ,0 3,6 kv kv thermische eigenschaften / thermal properties innerer w?rmewiderstand thermal resistance, junction to case pro modul / per module, = 180 sin pro zweig / per arm, = 180 sin pro modul / per module, dc pro zweig / per arm, dc r thjc max. max. max. max. 0,065 0,13 0 0,062 0,124 k/w k/w k/w k/w bergangs - w?rmewiderstand thermal resistance, case to heatsink pro modul / per module pro zweig / per arm r thch max. max. 0,02 0,04 k/w k/w h?chstzul?ssige sperrschichttemperatur maximum junct ion temperature t vj max 125 c betriebstemperatur operating temperature t c op - 40...+125 c lagertemperatur storage temperature t stg - 40...+130 c mechanische eigenschaften / mechanical properties geh?use, siehe anlage case, see annex seite 3 p age 3 si - element mit druckkontakt si - pellet with pressure contact innere isolation internal insulation basisisolierung (schutzklasse 1, en61140) basic insul ation (class 1, iec61140) aln anzugsdrehmoment fr mechanische anschlsse mounting torqu e toleranz / tolerance 15% m1 5 nm anzugsdrehmoment fr elektrische anschlsse terminal connection torque toleranz / tolerance 10% m2 12 nm steueranschlsse control terminals din 46 244 a 2,8 x 0,8 gewicht weight g typ. 800 g kriechstrecke cre epage distance 17 mm schwingfestigkeit vibration resistance f = 50 hz 50 m/s2 file - no. e 83335
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 4 /11 s eite /page d 1 2 3 tt 4 5 7 6 1 2 3 td 4 5
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 5 /11 s eite /page analytische elemente des transienten w?rmewiderstandes z thjc fr dc anal ytical elements of transient thermal impedance z thjc for dc pos. n 1 2 3 4 5 6 7 r thn [k/w] 0,0426 0,0429 0,0257 0,0097 0,0031 n [s] 3,06 0,61 0,11 0,008 0,0009 analytische funktion / analytical function: erh?hung des z th dc bei sinus und rechteckstr?men mit unterschiedlichen stromflusswinkeln rise of z th dc for sinewave and rectangul ar current with different current conduction angles z th rec / z th sin = 180 = 120 = 90 = 60 = 30 z th rec [k/w] 0,01007 0,01655 0,02161 0,02981 0,04541 z th sin [k /w] 0,00601 0,00869 0,01236 0,01905 0,0 3519 z th = z th dc + ? z th z th = z th dc + ? z th ? ? ? max n n=1 thn thjc n C t - e 1 r z
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 6 /11 s eite /page diagramme durchgangsverluste transienter innerer w?rmewiderstand je zweig / transient thermal impedance per arm z thjc = f(t) sinusf?rmiger strom / sinusoidal current parameter: st romflu?winkel / current conduction angle steuercharakteristik v g = f (i g ) mit zndbereichen fr v d = 12 v gate characteristic v g = f (i g ) with triggering area for v d = 12 v h?chstzul?ssige spitzensteuerverlustleistung / maximum rated peak gate power dissipation p gm = f (t g ) : a - 2 0w/10ms b - 40 w/1ms c - 60 w/0,5ms 0,00 0,02 0,04 0,06 0,08 0,10 0,12 0,14 0,001 0,01 0,1 1 10 100 z (th)jr [k/w] t [s] 0,1 1 10 100 10 100 1000 10000 v g [v] i g [ma] t vj max = +125 c t vj = - 40 c t vj = +25 c a b c
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 7 /11 s eite /page geh?usetemp eratur bei rechteck durchlassverlustleistung je zweig / on - state power loss per arm p tav = f(i tav ) strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverlust e gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses should be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle h?chstzul?ssige geh?usetemperatur / maximum allowable case temperature t c = f(i tavm ) strombelastung je zweig / current load per arm berechnungsgrundlage p tav (schaltverluste gesondert bercksichtigen) calculation base p tav (switching losses shoul d be considered separately) parameter: stromflu?winkel / current conduction angle 0 100 200 300 400 500 600 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 p tav [w] i tav [a] dc 180 rec 120 rec 90 rec 60 q = 30 rec 180 sin 20 40 60 80 100 120 140 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 t c [ c] i tavm [a] dc q = 30 rec 60 rec 90 rec 120 rec 180 rec 180 sin q = 30 rec 120 rec 120 rec
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 8 /11 s eite /page h?chstzul?ssiger ausgangsstrom / maximum rated output current i d b2 - zweipuls - brckenschaltung / two - pulse bridge circuit gesamtverlustleistung der schaltun g / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r thca h?chstzul?ssiger ausgangsstrom / maximum rated output current i d b6 - sec hspuls - brckenschaltung / six - pulse bridge circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r t hca 0,08 0,12 0,16 0,20 0,24 0,32 0,40 0,48 0,60 0,80 1,20 1,60 2,40 2,40 0 600 1200 1800 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] r thca [k/w] 0,18 1,20 + - b2 i d ~ 0 100 200 300 400 500 600 i d [a] l - last l - load r - last r - load 0,080 0,120 0,16 0,20 0,24 0,32 0,40 0,48 0,60 0,80 1,20 1,60 2,40 2,40 0 500 1000 1500 2000 2500 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] r thca [k/w] , + - b6 i d 3~ 0 100 200 300 400 500 600 700 800 i d [a]
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 9 /11 s eite /page h?chstzul?ssiger effektivstrom / maximum rated rms current i rms w1c - einphasen - wechselwegschaltung / single - phase inverse parallel circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewide rstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r thca h?chstzul?ssiger effektivstrom / maximum rated rms current i rms w3c - dreiphasen - wechselwegschaltung / three - phase inverse parallel circuit gesamtverlustleistung der schaltung / total power dissipation at circuit p tot parameter: w?rmewiderstand pro element zwischen den geh?usen und umgebung / thermal resistance per chip cases to ambient r thca 0,08 0,12 0,16 0,20 0,30 0,40 0,60 0,80 1,20 2,00 2,00 2,00 2,00 2,00 0 300 600 900 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] r thca k/w] ~ ~ i rms w 1c 0 100 200 300 400 500 600 i rms [a] 0,08 0,12 0,16 0,20 0,30 0,40 0,60 0,80 1,20 2,00 2,00 2,00 2,00 2,00 0 500 1000 1500 2000 2500 10 30 50 70 90 110 p tot [w] t a [ c] r thca [k/w] ~ ~ w 3c ~ ~ i rms ~ ~ 0 100 200 300 400 500 600 i rms [a]
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 10 /11 s eite /page sperrverz?gerungsladung / recovered ch arge q r = f( - di/dt) t vj = t vjmax , v r 0,5 v rrm , v rm = 0,8 v rrm parameter: durchla?strom / on - state current i tm grenzstrom / maximum overload on - state current i t(ov)m = f(t), v rm = 0,8 v rrm a: leerlauf / no - load conditions b: nach belastung mit i tavm / after load with i tavm t a = 35c, verst?rkte luftkhlung / forced air cooling t a = 45c, luftselbstkhlung / natural air cooling 100 1000 10000 1 10 100 q r [as] - di/dt [a/s] i tm = 1000a 500a 200a 100a 50a 20a 0 1.000 2.000 3.000 4.000 5.000 0,01 0,1 1 i t(ov)m [a] t [s] b t a = 45 c a t a = 35 c
netz - thyristor - modul phase control thyristor module technische information / t echnical i nformation TT215N date of publication 201 4 - 01 - 2 2 revision: 3.0 11 /11 s eite /page nutzungsbedingungen die in diesem produktdatenblatt enthaltenen daten sind ausschlie?lich fr technisch geschultes fachpersonal bestimmt. die b eurteilung der eignung dieses produkte s fr ihre anwendung sowie die beurteilung der vollst?ndigkeit der bereitgestellten produktdaten fr diese anwendung obliegt ihnen bzw. ihren technischen abteilungen. in diesem produktdatenblatt werden diejenigen mer kmale beschrieben, fr die wir eine liefervertragliche gew?hrleistung bernehmen. eine solche gew?hrleistung richtet sich ausschlie?lich nach ma?gabe der im jeweiligen liefervertrag enthaltenen bestimmungen. garantien jeglicher art werden fr das produkt u nd dessen eigenschaften keinesfalls bernommen. sollten sie von uns produktinformationen ben?tigen, die ber den inhalt dieses produktdatenblatts hinausgehen und insbesondere eine spezifische verwendung und den einsatz dieses produktes betreffen, setzen sie sich bitte mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. fr interessenten halten wir application notes bereit. aufgrund der technischen anforderungen k?nnte unser produkt gesundheits gef?hrdende substanzen enthalten. bei rckfragen zu de n in d iesem produkt jeweils enthaltenen substanzen setzen sie sich bitte ebenfalls mit dem fr sie zust?ndigen vertriebsbro in verbindung. sollten sie beabsichtigen, das produkt in gesundheits - oder lebensgef?hrdenden oder lebenserhaltenden anwendungsbe reichen einzusetzen, bitten wir um mitteilung. wir weisen darauf hin, dass wir fr diese f?lle - die gemeinsame durchfhrung eines risiko - und qualit?tsassessments; - den abschluss von speziellen qualit?tssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame einfhrung von ma?nahmen einer laufenden produkt beobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die belieferung von der umsetzung solcher ma?nahmen abh?ngig machen. soweit erforderlich, bitten wir sie, entsprechende hinweise an ihre kunden zu geben. inhaltlic he ?nderungen d i es es produktdatenblatts bleiben vorbehalten. terms & conditions of usage the product data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. you and your technical departments will have to evalu ate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. this product data sheet is describing the specifications of this product for which a warranty is granted. any such warranty is granted exclusively pursuant the terms and conditions of the supply agreement. there will be no guarantee of any kind for the product and its specifications. should you require product information in excess of the data given in this product data sheet or which concerns the specific application of our product, please contact the sales office, which is responsible for you. for those that are specifically interested we may provide application notes. due to technical requirements our product ma y contain dangerous substances. for information on the types in question please contact the sales office, which is responsible for you. should you intend to use the product in health or live endangering or life support applications, please notify. pleas e note, that for any such applications we urgently recommend - to perform joint risk and quality assessments; - the conclusion of quality agreements; - to establish joint measur es of an ongoing product survey, and that we may make delivery depended on the real ization of any such measures. if and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. changes of this product data sheet are reserved.

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